近日，中國電子材料行業協會發布《晶體生長用高純碳化硅粉體》團體標準。該標準由河南中宜創芯發展有限公司聯合國內科研院所及產業鏈企業共同制定，于11月1日正式實施。
中宜創芯技術總監楊正宏表示，該標準是我國第三代半導體材料領域首個針對純度6N級以上碳化硅粉體的技術規范，其制定具有三方面積極影響：一是通過建立統一技術規范，提升行業整體技術水平；二是降低下游企業驗證成本，推動國產替代加速；三是強化龍頭企業技術壁壘，優化產業競爭格局。
標準的實施將有效降低下游晶體生長環節的技術風險與驗證成本，加速國產高純碳化硅粉體的應用替代進程，為我國第三代半導體產業鏈的自主可控與高質量發展提供重要支撐。
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